瑞萨电子推出新一代SiIGBT用于电动汽车逆变器

8月30日，半导体解决方案供应商瑞萨电子公司宣布开发出新一代Si-IGBT(硅绝缘栅双极晶体管)。该产品体积小，功耗低，可用于电动汽车的下一代逆变器。

根据该公司的计划，2023年上半年，AE5 IGBT将在瑞萨电子日本Naka工厂的200和300 mm晶圆生产线上量产。2024年上半年，瑞萨电子将开始提高其位于日本嘉福的新300mm功率半导体晶圆厂的产量，以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。

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